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.写使能(Write Enable 求购蓝膜片， WE#): WE#负责将数据、地址或指令写入NAND之中。3.读使能(Read Enable， RE#): RE#允许输出数据缓冲器。4.指令锁存使能(Command Latch Enable， CLE): 当CLE为高时，在WE#信号的上升沿，指令被锁存到NAND指令寄存器中。5.地址锁存使能(Address Latch Enable， ALE)：当ALE为高时，在WE#信号的上升沿，地址被锁存到NAND地址寄存器中。6.就绪/忙(Ready/Busy flash蓝膜， R/B#)：如果NAND器件忙，R/B#信号将变低。该信号是漏极开路，需要采用上拉电阻。
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瑞德索罗门(Reed-Solomon)码提供更为强大的纠错 蓝膜，并被控制器广为采用。此外 求购flash蓝膜，BCH码由于比瑞德索罗门方法的效率高，应用也日益普及。LSI SHIELD技术采用多级ECC模式，对SSD进行优化的高级纠错功能解决NAND闪存存储器的可靠性降低和使用寿命缩短等问题。
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