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.写使能(Write Enable, WE#): WE#负责将数据、地址或指令写入NAND之中。3.读使能(Read Enable, RE#): RE#允许输出数据缓冲器。4.指令锁存使能(Command Latch Enable, CLE): 当CLE为高时,在WE#信号的上升沿,指令被锁存到NAND指令寄存器中。5.地址锁存使能(Address Latch Enable nand蓝膜回收, ALE):当ALE为高时,在WE#信号的上升沿,地址被锁存到NAND地址寄存器中。6.就绪/忙(Ready/Busy, R/B#):如果NAND器件忙 晶元蓝膜回收,R/B#信号将变低。该信号是漏极开路 求购蓝膜片,需要采用上拉电阻。


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多层单元(MLC)的每一个单元存储两位,而传统的SLC仅仅能存储一位。MLC技术有显著的密度优越性,然而,与SLC相比(表3),其速度或可靠性稍逊。因此,SLC被用于大多数媒体卡和无线应用,而MLC器件通常被用于消费电子和其它低成本产品。


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