K9GAG08UOE晶圆回收,晶圆回收,磅礴电子

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MOS电路制造中，器件隔离工序中防止寄生沟道用的沟道截断 K9G4G08UOA晶圆回收，调整阀值电压用的沟道掺杂， CMOS的阱形成及源漏区的形成，要采用离子注入法来掺杂。

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