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当SiO2膜较薄时 nand蓝膜晶圆回收，膜厚与时间成正比。SiO2膜变厚时 nand原厂不良晶圆回收，膜厚与时间的平方根成正比。因而，要形成较厚SiO2膜 晶圆回收，需要较长的氧化时间。

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之后采用精密"光罩"经感光制程得到所需的"光阻"，再对硅材进行精密的蚀刻凹槽，及续以金属之真空蒸着制程，而在各自独立的"晶粒或芯片"(Die，Chip)上完成其各种微型组件及微细线路。

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