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L84、EGZ9、FGC4、FGC2等系列晶圆。
干法氧化通常用来形成 EGW1晶圆回收,栅极二氧化硅膜 L84晶圆回收,要求薄 晶圆回收,界面能级和固定电荷密度低的薄膜。干法氧化成膜速度慢于湿法。湿法氧化通常用来形成作为器件隔离用的比较厚的二氧化硅膜。
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离子注入法通常是将欲掺入半导体中的杂质在离子源中离子化, 然后将通过质量分析磁极后选定了离子进行加速,注入基片中。
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