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NOR闪存的随机存取时间为0.12ms，而NAND闪存的第一字节随机存取速度要慢得多以2Gb NAND器件为例 nand，它由2048个区块组成 求购nand蓝膜片，每个区块有64个页2GB NAND闪存包含2 求购nand蓝膜晶圆，048个区块
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这种CE#和RE#的组合使能输出缓冲器，容许NAND闪存与NOR、SRAM或DRAM等其它类型存储器共享数据总线。该功能有时被称为“无需介意芯片启动(chip enable don't care)”。这种方案的初衷是适应较老的NAND器件，它们要求CE#在整个周期为低(译注：根据上下文改写)。
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