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NOR闪存的随机存取时间为0.12ms，而NAND闪存的第一字节随机存取速度要慢得多以2Gb NAND器件为例 nand晶元蓝膜回收，它由2048个区块组成，每个区块有64个页2GB NAND闪存包含2 求购nand晶圆回收，048个区块
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.写使能(Write Enable， WE#): WE#负责将数据、地址或指令写入NAND之中。3.读使能(Read Enable， RE#): RE#允许输出数据缓冲器。4.指令锁存使能(Command Latch Enable 求购nand蓝膜片， CLE): 当CLE为高时，在WE#信号的上升沿，指令被锁存到NAND指令寄存器中。5.地址锁存使能(Address Latch Enable， ALE)：当ALE为高时，在WE#信号的上升沿，地址被锁存到NAND地址寄存器中。6.就绪/忙(Ready/Busy， R/B#)：如果NAND器件忙，R/B#信号将变低。该信号是漏极开路，需要采用上拉电阻。
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