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闪存的基本单元电路与EEPROM类似,也是由双层浮空栅MOS管组成。但是第一层栅介质很薄,作为隧道氧化层。写入方法与EEPROM相同,在第二级浮空栅加正电压,使电子进入第一级浮空栅。

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