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下面有图(仅供参考.有类似的请联系)
闪存控制器的质量也是影响性能的因素之一。即使闪存只有在制造时做缩小晶粒(die-shrink)的改变，但如果欠缺合适的控制器，就可能引起速度的降级。
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闪存的基本单元电路与EEPROM类似 回收nand原厂不良 ，也是由双层浮空栅MOS管组成。但是第一层栅介质很薄 nand硅片晶圆收购 ，作为隧道氧化层。写入方法与EEPROM相同，在第二级浮空栅加正电压，使电子进入第一级浮空栅。
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