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随着半导体技术的改进，闪存也实现了单晶体管设计 Flash原厂不良，主要就是在原有的晶体管上加入浮空栅和选择栅，NAND闪存阵列分为一系列128kB的区块(block) 英特尔原厂不良，这些区块是NAND器件中最小的可擦除实体。
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由于普通的TSOP-1封装已经沿用多年，该功能让客户能够把较高密度的NAND器件移植到相同的电路板上，这就使得一种封装和接口能够在将来支持较高的密度
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