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随着半导体技术的改进 回收镁光原厂不良，闪存也实现了单晶体管设计，主要就是在原有的晶体管上加入浮空栅和选择栅 海力士原厂不良回收，NAND闪存阵列分为一系列128kB的区块(block)，这些区块是NAND器件中最小的可擦除实体。
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擦除一个区块就是把所有的位(bit)设置为“1”(而所有字节(byte)设置为FFh)。有必要通过编程，将已擦除的位从“1”变为“0”。最小的编程实体是字节(byte)。
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