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光刻胶的涂敷是用转速和旋转时间可自由设定的甩胶机来进行的。首先、用真空吸引法将基片吸在甩胶机的吸盘上 收购NANN整张蓝膜片，把具有一定粘度的光刻胶滴在基片的表面，然后以设定的转速和时间甩胶
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利用光刻技术和离子刻蚀技术，保留下栅隔离层上面的氮化硅层。
生长未有氮化硅保护的 SiO2 层，形成 PN 之间的隔离区。
热磷酸去除氮化硅，然后用 HF 溶液去除栅隔离层位置的 SiO2 ，并重新生成品质更好的 SiO2 薄膜 ， 作为栅极氧化层。
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