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对于以硅片为基底的光伏电池来说，晶体硅(c-Si)原料和切割成本在电池总成本中占据了最大的部分。光伏电池生产商可以通过在切片过程中节约硅原料来降低成本。降低截口损失可以达到这个效果，截口损失主要和切割线直径有关，是切割过程本身所产生的原料损失。提升机台产量。
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利用光刻技术和离子刻蚀技术 蓝膜片，保留下栅隔离层上面的氮化硅层。
生长未有氮化硅保护的 SiO2 层，形成 PN 之间的隔离区。
热磷酸去除氮化硅，然后用 HF 溶液去除栅隔离层位置的 SiO2 ，并重新生成品质更好的 SiO2 薄膜 ， 作为栅极氧化层。
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