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EEPROM基本存储单元电路的工作原理如图2.2所示。与EPROM相似，它是在EPROM基本单元电路的浮空栅极的上面再生成一个浮空栅，前者称为第一级浮空栅，后者称为第二级浮空栅。可给第二级浮空栅引出一个电极 nand 蓝膜硅片，使第二级浮空栅极接某一电压VG。
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NAND闪存卡的读取速度远大于写入速度。当芯片磨损 求购flash蓝膜，抹除与程序的操作速度会降到相当慢。传递多个小型文件时 蓝膜，若是每个文件长度均小于闪存芯片所定义的区块大小时，就可能导致很低的传输速率。访问的迟滞也会影响性能，但还是比硬盘的迟滞影响小。
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