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数据寄存器输出数据的方式与利用RE#信号的方式类似,负责输出现有的数据 nand蓝膜硅片回收,并增加到下一个地址。WE#和RE#时钟运行速度极快,达到30ns的水准。当RE#或CE#不为低的时候,输出缓冲器将为三态


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闪存的基本单元电路与EEPROM类似,也是由双层浮空栅MOS管组成。但是第一层栅介质很薄,作为隧道氧化层。写入方法与EEPROM相同,在第二级浮空栅加正电压,使电子进入第一级浮空栅。


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