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闪存的基本单元电路与EEPROM类似,也是由双层浮空栅MOS管组成。但是第一层栅介质很薄,作为隧道氧化层。写入方法与EEPROM相同 回收nand蓝膜片 ,在第二级浮空栅加正电压,使电子进入第一级浮空栅。

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由于利用源极加正电压擦除,因此各单元的源极联在一起 nand硅片晶圆收购 ,这样,擦除不能按字节擦除,而是全片或者分块擦除。

全国收购封装测试厂蓝膜片.白膜片.黑膜片.封装测试厂淘汰废的TSOP.SOP.QFN.PLCC.BGA.LGA.CSP.WL-CSP等各种封装IC。



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