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常采用浮空栅雪崩注入式MOS电路 nand蓝膜回收,简称为FAMOS。它与MOS电路相似 nand 硅片晶圆收购,是在N型基片上生长出两个高浓度的P型区,通过欧姆接触分别引出源极S和漏极D。



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NAND闪存的每一个页面上都包括额外的存储空间,它就是64个字节的空闲区(每512字节的扇区有16字节)。该区能存储ECC代码及其它像磨损评级或逻辑到物理块映射之类的信息


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