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常采用浮空栅雪崩注入式MOS电路 nand蓝膜回收,简称为FAMOS。它与MOS电路相似 nand 硅片晶圆收购,是在N型基片上生长出两个高浓度的P型区,通过欧姆接触分别引出源极S和漏极D。



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数据每次进/出NAND寄存器都是通过16位或8位接口。当进行编程操作的时候,待编程的数据进入数据寄存器,处于在WE#信号的上升沿。在寄存器内随机存取或移动数据,要采用专用指令以便于随机存取。



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