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常采用浮空栅雪崩注入式MOS电路 nand 蓝膜硅片回收，简称为FAMOS。它与MOS电路相似，是在N型基片上生长出两个高浓度的P型区 nand，通过欧姆接触分别引出源极S和漏极D。
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AND器件具有8或16位接口。通过8或16位宽的双向数据总线，主数据被连接到NAND存储器。在16位模式，指令和地址仅仅利用低8位，而高8位仅仅在数据传输周期使用。
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