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常采用浮空栅雪崩注入式MOS电路 nand闪存回收，简称为FAMOS。它与MOS电路相似 nand 硅片晶圆收购，是在N型基片上生长出两个高浓度的P型区 nand，通过欧姆接触分别引出源极S和漏极D。
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NAND闪存的优点在于写(编程)和擦除操作的速率快，而NOR的优点是具有随机存取和对字节执行写(编程)操作的能力(见下图图2)。NOR的随机存取能力支持直接代码执行(XiP)，而这是嵌入式应用经常需要的一个功能。
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