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生产商必须平衡这些相关的因素使生产力达到最大化。更高的切割速度和更大的荷载将会加大切割切割线的拉力 整张蓝膜片晶圆回收，增加切割线断裂的风险。由于同一硅块上所有硅片是同时被切割的，只要有一条切割线断裂，所有部分切割的硅片都不得不丢弃。 然而，使用更粗更牢固的切割线也并不可取 8寸整张蓝膜片回收，这会减少每次切割所生产的硅片数量，并增加硅原料的消耗量。
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因而，电极和布线用的铝合金（ Al-Si， Al-Si-Cu ）等都是利用溅射法形成的。最常用的溅射法在平行平板电极间接上高频（ 13.56MHz ）电源，使氩气（压力为1Pa ）离子化，在靶材溅射出来的原子淀积到放到另一侧电极上的基片上。为提高成膜速度， 通常利用磁场来增加离子的密度， 这种装置称为磁控溅射装置（ magnetron sputter apparatus ），以高电压将通入惰性氩体游离 回收整张蓝膜片NANN，再藉由阴极电场加速吸引带正电的4004的50mm晶圆和Core 2 Duo的300mm晶圆离子，撞击在阴极处的靶材，将欲镀物打出后沉积在基板上。
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