Downgrade Flash产生的原因主要是由以下现象产生：
1、晶圆Wafer是圆片，而切割的Die是方形的，这样必然有些边角余料被剩下，这是产Downgrade Flash的一个主要部分。
2、在切割的过程中，工艺控制不良，会在Wafer上产生一些裂缝，这对后续的温度性能影响很大。
3、在Flash制程更换是，nm级别越来越低，难免有部分光照不良的die，这些也将成为Downgrade Flash。
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第二次召回的B电池发现铜箔融化现象，可以确定是事故源头，Blue tape晶元，原因是焊接过程中产生的过大毛刺穿破绝缘膜，接触负极引发短路。部分电池甚至没有绝缘膜”。导致这一问题出现，三星电子无线事业部总裁 DJ Koh表示
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