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2Gb NAND的规范规定,IC蓝膜片,它可以最多有40个坏的区块,IC,这个数字在器件的生命周期(额定寿命为10万次编程/擦除周期)内都适用。一些有坏块的NAND器件能够出厂,主要就归根于其裸片面积大。管理器件的软件负责映射坏块并由好的存储块取而代之。
东芝(TOSHIBA).闪迪(sandisk).镁光(MICRON).现代(SK-Hynix).三星(Samsung).英特尔(Intel).
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选择内置NAND接口的处理器或控制器的好处很多。如果没有这个选择,有可能在NAND和几乎任何处理器之间设计一个“无粘接逻辑(glueless)”接口。NAND和NOR闪存的主要区别是复用地址和数据总线。该总线被用于指令、地址或数据。
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