DK5V45R10 同步整流芯片
DK5V45R10 是一款简单高效率的同步整流芯片，只有 A，K 两个引脚，分别对应肖特基二极管的 A，K 引脚。芯片内部集成了 45V 功率 NMOS 管，可以大幅降低二极管导通损耗，提高整机效率，同步整流芯片作用，取代或替换目前市场上等规的肖特基整流二极管。
产品特点：
△ 支持 DCM 和 QR 模式反激系统。
△ 内置 10 mΩ 45V 功率 NMOS 管。
△ 特有的自供电技术，同步整流芯片价格，无需外部供电电源。
△ 自检测开通关断，无需外部同步信号。
△ 可直接替换肖特基管，对 EMC/I 有适当改善。
应用领域
△ 反激电源转换器
△ 反激电源适配器
编带包装：（5K/ 盘）
能量再生与同步整流
在开关管V导通时，变压器接收的电能除了磁化电流外都将传送到输出端。而管V关跃的反激作用期间，导向二极管D2用反偏置故不可能有钳位作用或能量泄放的回路。磁化能量将会产生较大的反压加在开关管的集一射极之间。
为了防止高反压的产生，设置了“能量再生绕组”P2，同步整流芯片，由绕组△经过二极管D，使存储的能量反馈回直流电源Ui中。只要满足Wp1=Wp2的关系，D1流过电流时Up2=Ui，则开关管V上承受的集一射极电压为2Ui。图为了避免在P1和P2绕组之间存在的漏电感过大，和因此而在开关管集电极上产生过高的电压，一般采用初级绕组P1与能量再生绕组P2双线并绕的方法。在这种配置中，二极管D1接在能量再生绕组如图所示的位置是非常重要的。原因是双线并绕引起的内部杂散电容Cc是在开关管V的集电极与绕组P2和D1连接点之间的寄生电容。按照图中的接法是有优点的，如在开关管V导通时，由于二极管D，反向而隔开了集电极，没有任何的电流在V瞬时导通时流进电容Cc中（注意，绕组P1和P2的非同铭端同时变负，而且Cc的两端电压不会改变）。但是在反激期间，Cc提供开关管V的钳位作用，任何过电压的趋势都会引起Cc流过电流，而且经过D，反馈到电源线上。如果寄生电容不够大，只靠P1、P2绕组磁耦合，钳位电压超值时，常常可以在%位置加外接电容补充以改善它的钳位作用。然而，如果电容值过大时，会使得输出电压线上有输人电压叽纹波频率调制的电压分量，所以要小心地选用附加电容Cc的值。
在开关管V导通时，输入电压Ui加在（Lp+LLT）上，由于D2反偏置阻止C2的充电，所以Uc2≈0。当开关管V关断时，由于反激作用，V的集电极电压Uc快速上升，但由于砀此时受正偏压而导通，使V电流被C2、R1分流，Uc电压逐渐上升，即U（电压也是逐渐上升，而且钳位在2Ui数值上。从而把Uc上升的尖峰电压的顶部消去，如虚线所示的脉冲尖峰。
在一个周期剩下的时间里，随着R1放电电流的减小，同步整流芯片的方案，C2上的电压降会返回到原来值。多余的反激电能，被消耗在R1上。此钳位电压是自跟踪的，在稳态工作时，因为C2上的电压会自动地调整，直到所有多余的反激电能消耗在R1上。如果在所有其他情况下，都要维持某一恒定钳位电压时，则可以通过减小R1值或漏电感Lyp的值，来抑制钳位电压的升高趋势。
不能把钳位电压设计得太低，因为反激过冲电压也有有用的一面。在反激作用时，它提供了一个附加强制电压值来驱动电能进入到次级电感。使变压器次级的反激电流迅速增加。提高了变压器的传输效率，同时也减小了电阻R）上的损耗。这对于低压大电流输出是很有意义的。
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