DK5V45R20 同步整流芯片
功能描述：
DK5V45R15 内部集成了20m Ω/45V功率NMOS管和同步整流控制IC，适用于5V2.5A以下的反激式开关电源次级整流。整流效率比传统的肖特基二极管提高4-5%，温度降低可达50%；效率比Low VF的二极管提高20%以上，温度可降低20%。
产品特点：
△ 支持 DCM 和 QR 模式反激系统。
△ 内置 15 mΩ 45V 功率 NMOS 管。
△ 特有的自供电技术，无需外部供电电源。
△ 自检测开通关断，无需外部同步信号。
△ 可直接替换肖特基管，对 EMC/I 有适当改善。
应用领域
△ 反激电源转换器
编带包装：（5K/ 盘）
公司自2001年7月创立以来，钲铭科人从公司文化中提炼出“征（钲）途漫漫，铭记使命，科技领衔”十二字格言，在摸索中形成了以节能环保、种类齐全、具高性价比的AC/DC PWM电源芯片为主导产品，并广泛应用于：LED恒流驱动电源，充电器电源，同步整流芯片，适配器电源，电磁炉电饭煲等小家电产品电源上。公司积极探索以亚微米CMOS、BIPOLAR、BICMOS、BCD等尖端技术为研发方向，以“科技创新+管理优化+服务完善”促业绩增长的经营理念。
展望未来，公司将秉承“以人为本、科学发展、诚信经营”之宗旨，落实“抓研究、主销售、重责任”之方针，继续为客户提供优异产品及解决方案，承担环保公益宣传的社会责任，与各界朋友携手共创美好明天！
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应用同步整流技术
电子技术的发展，使得电路的工作电压越来越低、电流越来越大。低电压工作有利于降低电路的整体功率消耗，但也给电源设计提出了新的难题。
开关电源的损耗主要由3部分组成：功率开关管的损耗，高频变压器的损耗，输出端整流管的损耗。在低电压、大电流输出的情况下，整流二极管的导通压降较高，输出端整流管的损耗尤为突出。快恢复二极管（FRD）或超快恢复二极管（SRD）可达1.0～1.2V，即使采用低压降的肖特基二极管（SBD），也会产生大约0.6V的压降，这就导致整流损耗增大，电源效率降低。
举例说明，笔记本电脑普遍采用3.3V甚至1.8V或1.5V的供电电压，所消耗的电流可达20A。此时超快恢复二极管的整流损耗已接近甚至超过电源输出功率的50%。即使采用肖特基二极管，整流管上的损耗也会达到（18%～40%）PO，同步整流芯片厂家，占电源总损耗的60%以上。因此，传统的二极管整流电路已无法满足实现低电压、大电流开关电源高效率及小体积的需要，成为制约DC/DC变换器提高效率的瓶颈。
同步整流比之于传统的肖特基整流技术可以这样理解：
这两种整流管都可以看成一扇电流通过的门，电流只有通过了这扇门才能供负载使用。
传统的整流技术类似于一扇必须要通过有人大力推才能推开的门，同步整流芯片技术，故电流通过这扇门时每次都要巨大努力，同步整流芯片工作原理，出了一身汗，损耗自然也就不少了。
而同步整流技术有点类似我们通过的较高场所的感应门了：它看起来是关着的，但你走到它跟前需要通过的时候，它就自己开了，根本不用你自己费大力去推，所以自然就没有什么损耗了。
通过上面这个类比，我们可以知道，同步整流技术就是大大减少了开关电源输出端的整流损耗，从而提高转换效率，降低电源本身发热。
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