深圳市钲铭科电子有限公司 同步整流芯片
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功率MOSFET属于电压控制型器件，它在导通时的伏安特性呈线性关系。用功率MOSFET做整流器时，要求栅极电压必须与被整流电压的相位保持同步才能完成整流功能，故称之为同步整流。 为什么要应用同步整流技术 电子技术的发展，使得电路的工作电压越来越低、电流越来越大。低电压工作有利于降低电路的整体功率消耗，但也给电源设计提出了新的难题。 开关电源的损耗主要由3部分组成：功率开关管的损耗，同步整流芯片，高频变压器的损耗，输出端整流管的损耗。在低电压、大电流输出的情况下，整流二极管的导通压降较高，输出端整流管的损耗尤为突出。快恢复二极管（FRD）或超快恢复二极管（SRD）可达1.0～1.2V，即使采用低压降的肖 特基二极管（SBD），反激式同步整流芯片，也会产生大约0.6V的压降，这就导致整流损耗增大，电源效率降低。
同步整流电路
简介：
同步整流电路是采用通态电阻极低的功率MOSFET来取代整流二极管，同步整流芯片的电路图 ，因此能大大降低整流器的损耗，提高DC/DC变换器的效率，满足低压、大电流整流的需要。
概述：
折叠编辑本段概述近年来随着电源技术的发展，同步整流技术正在向低电压、大电流输出的DC/DC变换器中迅速推广应用。DC/DC变换器的损耗主要由3部分组成：功率开关管的损耗，高频变压器的损耗，输出端整流管的损耗。在低电压、大电流输出的情况下，整流二极管的导通压降较高，输出端整流管的损耗尤为突出。快恢复二极管（FRD）或超快恢复二极管（SRD）可达1.0～1.2V，即使采用低压降的肖特基二极管（SBD），也会产生大约0.6V的压降，这就导致整流损耗增大，电源效率降低。功率MOSFET的导通压降比较小，一般只能达到0.006V左右，同步整流芯片替代肖特基二极管，可以很好的提高电路效率。举例说明，目前笔记本电脑普遍采用3.3V甚至1.8V或1.5V的供电电压，所消耗的电流可达20A。此时超快恢复二极管的整流损耗已接近甚至超过电源输出功率的50%。即使采用肖特基二极管，整流管上的损耗也会达到（18%～40%）PO，占电源总损耗的60%以上。因此，传统的二极管整流电路已无法满足实现低电压、大电流开关电源高效率及小体积的需要，成为制约DC/DC变换器提高效率的瓶颈。
同步整流芯片替代肖特基二极管、同步整流芯片、钲铭科(查看)由深圳市钲铭科电子有限公司提供。深圳市钲铭科电子有限公司（www.linkage66.com/）是广东 深圳 ,集成电路的翘楚，多年来，公司贯彻执行科学管理、创新发展、诚实守信的方针，很大限度的满足客户需求。在钲铭科领导携全体员工热情欢迎各界人士垂询洽谈，共创钲铭科更加美好的未来。
