CS8323S芯片构架：内置BOOST模块，自带升压功放，AB类D类集成的特殊R类结构。
CS8323芯片构架优势：CS8323的全差分结构和极高的PSR有效的提高了CS8323S对RF噪声的抑制能力，CS8323无需滤波器的PWM调制结构减少了外围器件，自带升压功放CS8323，CS8323S提供了纤小的SOP16L封装形式供客户选择
CS8332S应用注意事项：
CS8332S配套的锂电池请尽量使用优质锂电池，保证产品的连续工作时间，另外电池的关段电压尽量设计在3.3V
CS8332S供电脚应该单独走线，尽可能的宽，自带升压功放CS8326C，避免输入电压不稳，靠近VDD脚请放置一个过滤电容。由于采用了非同步升压模式，需要肖特基进行续流。PCB板上肖特基的选择对整个IC的性能影响非常大。不合适的肖特基选型可能导致CS8332S的反向电流非常大，可能会导致芯片烧毁。
自带升压功放CS8326C、自带升压功放、上大科技由深圳市上大科技有限公司提供。行路致远，砥砺前行。深圳市上大科技有限公司（www.sandtech.cn）致力成为与您共赢、共生、共同前行的战略伙伴，更矢志成为集成电路较具影响力的企业，与您一起飞跃，共同成功!
