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若VG为正电压 不良晶圆，第一浮空栅极与漏极之间产生隧道效应，使电子注入第一浮空栅极，即编程写入。若使VG为负电压，强使第一浮空栅极的电子散失，即擦除。擦除后可重新写入。
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NOR闪存的随机存取时间为0.12ms，而NAND闪存的第一字节随机存取速度要慢得多以2Gb NAND器件为例，它由2048个区块组成，每个区块有64个页2GB NAND闪存包含2，048个区块
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