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在源极和漏极之间有一个多晶硅栅极浮空在 绝缘层中，与四周无直接电气联接。这种电路以浮空栅极是否带电来表示存1或者0 flash蓝膜片，浮空栅极带电后（例如负电荷），就在其下面，源极和漏极之间感应出正的导电沟道，使MOS管导通 蓝膜片晶圆回收，即表示存入0.若浮空栅极不带电 回收nand蓝膜片，则不能形成导电沟道，MOS管不导通，即存入1。
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不同种类、不同工艺、不同技术水平的NAND闪存在读写速率上存在差异。同时，闪存产品的读写性能也与读写方式有关。一般闪存的数据接口为8位或者16位，其中8位较为常见。如果产品支持多通道并行读写，那么就会有更高的速度。
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