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要形成较厚SiO2膜,需要较长的氧化时间。SiO2膜形成的速度取决于经扩散穿过SiO2膜到达硅表面的O2及OH基等氧化剂的数量的多少。湿法氧化时,因在于OH基SiO2膜中的扩散系数比O2的大。氧化反应 整张8寸蓝膜片回收,Si 表面向深层移动 8寸蓝膜,距离为SiO2膜厚的0.44倍。


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真空蒸发法( Evaporation Deposition )采用电阻加热或感应加热或者电子束等加热法将原料蒸发淀积到基片上的一种常用的成膜方法。蒸发原料的分子(或原子)的平均自由程长( 10 -4 Pa 以下,达几十米),所以在真空中几乎不与其他分子碰撞可直接到达基片。


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