电阻器作用
小功率电阻器通常为封装在塑料外壳中的碳膜构成，而大功率的电阻器通常为绕线电阻器，通过将大电阻率的金属丝绕在瓷心上而制成。
如果一个电阻器的电阻值接近零欧姆（例如，两个点之间的大截面导线），则该电阻器对电流没有阻碍作用，并联这种电阻器的回路被短路，电流无限大。如果一个电阻器具有无限大的或很大的电阻，则串接该电阻器的回路可看作开路，电流为零。工业中常用的电阻器介于两种极端情况之间，它具有一定的电阻，可通过一定的电流，但电流不像短路时那样大。电阻器的限流作用类似于接在两根大直径管子之间的小直径管子限制水流量的作用。电阻，英文名resistance，光敏电阻器，通常缩写为R，它是导体的一种基本性质，与导体的尺寸、材料、温度有关。欧姆定律说，I=U/R，那么R=U/I，电阻的基本单位是欧姆，用希腊字母“Ω”表示，有这样的定义：导体上加上一伏特电压时，产生一安培电流所对应的阻值。电阻的主要职能就是阻碍电流流过。事实上，“电阻”说的是一种性质，而通常在电子产品中所指的电阻，是指电阻器这样一种元件。欧姆常简称为欧。表示电阻阻值的常用单位还有千欧（kΩ），兆欧（MΩ），毫欧（m Ω）。
DA转换器基础 --电阻器梯形结构DAC
电阻串 DAC 的较大局限性是与实现高分辨率和维持线性度有关的挑战。如果不实施级联电阻串或内插放大器等巧妙设计技术，电阻串 DAC 所需的电阻器数量将随分辨率的提高呈指数级增长， 所以需要高分辨率时，电阻串 DAC绝不是最有效的。二进制加权DAC每位使用一个开关，成为现代精密和高速DAC的支柱架构， 如R-2R DAC采用二进制加权电阻器梯形结构。
下图所示的电压模式二进制加权电阻DAC是教材中常用的最简单DAC示例。然而，该DAC本身不具单调性，电阻器，而且实际上难以成功制造并实现高分辨率。此外，电压模式二进制DAC的输出阻抗会随着输入代码的不同而改变。
电流模式二进制DAC下图－A(基于电阻)和下图－B(基于电流源)所示。这种N位DAC由比例为1: 1/2 : 1/4: 1/8 :....:1/2^(N–1)的N个加权电流源组成，电流源则可以仅由电阻和基准电压源构成。LSB开关1/2^(N–1)电流，MSB开关1电流，如此等等。原理很简单，但要想制造一个尺寸合理的IC，实际困难很大；即便一个8位DAC，150r电阻器，电流或电阻比也会达到128:1，尤其是其温度系数必须匹配。
如果MSB电流值稍低，它将小于所有其它位电流的和，DAC将不具单调性(多数类型DAC的微分非线性在主要位跃迁时最差)。实际上，这种架构从未单独用于DAC集成电路中，但是，其3到4位版本已被用作更复杂结构的组成部分。
还有一种最近才得到广泛使用的二进制加权DAC结构，它使用下图所示的二进制加权电容。使用电容的DAC有一个问题：泄漏会使它在设定后的几毫秒内丧失精度。这使得电容DAC可能不适合通用DAC应用。但是如果在逐次逼近型ADC中，可调电阻器，这并不是问题，因为转换会在几微秒甚至更短的时间内完成，泄漏根本来不及产生任何明显的影响。逐次逼近型ADC结构简单、功耗低，而且具有相当快的转换时间，它可能是使用最广泛的通用ADC架构，架构中的DAC模块通常由一个二进制加权电容阵列实现；电容电荷再分配DAC还具有另一项优势，即DAC本身可以充当一个采样保持电路(SHA)，因此既不需要外部SHA，也不需要为单独集成的SHA分配芯片面积。
最常见的DAC构建模块结构之一是R-2R二进制加权梯形电阻网络，它仅使用两种不同值的电阻，阻值之比为2:1。N位DAC需要2N个电阻，调整相当简单，而且要调整的电阻数量相对较少。有两种方法可以将R-2R梯形电阻网络用作DAC，分别称为“电压模式”和“电流模式”。下图所示为电压模式R-2R梯形电阻DAC，电阻梯的“横档”或臂在VREF与地之间切换，输出从电阻梯的末端获得。输出可以是一个电压，但由于输出阻抗与代码无关，因此输出也可以是一个流入虚拟地的电流。
DAC 的每一位分辨率都由 1 个由 R 电阻器、2R 电阻器以及 1 个开关组成的集合实现的，开关可在参考电压与接地之间切换，能够在输出节点创建一个分压器。通常在硅芯片上有一个内藏输出缓冲器。R-2R DAC 在参考节点有不同的阻抗，因此，对于 DAC 输出频繁改变的应用而言，需要一款参考缓冲器来防止参考建立时间影响 DAC 输出建立时间。该缓冲器通常与输出缓冲器一样，整合在硅芯片上。
电压输出是这种模式的一个优势，恒定的输出阻抗是另一个优势，后者使得连接到输出节点的任何放大器都更容易稳定。此外，开关使电阻梯的臂在低阻抗VREF连接与同样是低阻抗的地之间切换，因此电容毛刺电流一般不会流到负载。但另一方面，开关必须在宽电压范围(VREF至地)内工作，这给设计和制造都带来难题，而且基准电压输入阻抗随着代码而大幅改变，因此基准电压输入必须通过一个非常低的阻抗驱动。此外，DAC的增益无法通过与VREF引脚串联的电阻进行调整。
下图所示为电流模式R-2R梯形电阻DAC，DAC的增益可以通过VREF引脚上的串联电阻进行调整，这是因为在电流模式中，电阻梯的末端(具有与代码无关的阻抗)用作VREF引脚，臂的末端在地(有时是处于地电位的“反相输出”)与输出线(必须保持地电位)之间切换。电流模式梯形电阻网络的输出一般连接到一个配置为电流电压(I/V)转换器的运算放大器，但由于DAC输出阻抗随着数字代码而变化，该运算放大器的稳定机制变得较为复杂。
DA转换器基础 --电阻器梯形结构DAC
首先回顾一下，电阻串 DAC 的较大局限性是与实现高分辨率和维持线性度有关的挑战。如果不实施级联电阻串或内插放大器等巧妙设计技术，电阻串 DAC 所需的电阻器数量将随分辨率的提高呈指数级增长， 所以需要高分辨率时，电阻串 DAC绝不是最有效的。二进制加权DAC每位使用一个开关，成为现代精密和高速DAC的支柱架构， 如R-2R DAC采用二进制加权电阻器梯形结构。
下图所示的电压模式二进制加权电阻DAC是教材中常用的最简单DAC示例。然而，该DAC本身不具单调性，而且实际上难以成功制造并实现高分辨率。此外，电压模式二进制DAC的输出阻抗会随着输入代码的不同而改变。
电流模式二进制DAC下图－A(基于电阻)和下图－B(基于电流源)所示。这种N位DAC由比例为1: 1/2 : 1/4: 1/8 :....:1/2^(N–1)的N个加权电流源组成，电流源则可以仅由电阻和基准电压源构成。LSB开关1/2^(N–1)电流，MSB开关1电流，如此等等。原理很简单，但要想制造一个尺寸合理的IC，实际困难很大；即便一个8位DAC，电流或电阻比也会达到128:1，尤其是其温度系数必须匹配。
如果MSB电流值稍低，它将小于所有其它位电流的和，DAC将不具单调性(多数类型DAC的微分非线性在主要位跃迁时最差)。实际上，这种架构从未单独用于DAC集成电路中，但是，其3到4位版本已被用作更复杂结构的组成部分。
还有一种最近才得到广泛使用的二进制加权DAC结构，它使用下图所示的二进制加权电容。使用电容的DAC有一个问题：泄漏会使它在设定后的几毫秒内丧失精度。这使得电容DAC可能不适合通用DAC应用。但是如果在逐次逼近型ADC中，这并不是问题，因为转换会在几微秒甚至更短的时间内完成，泄漏根本来不及产生任何明显的影响。逐次逼近型ADC结构简单、功耗低，而且具有相当快的转换时间，它可能是使用最广泛的通用ADC架构，架构中的DAC模块通常由一个二进制加权电容阵列实现；电容电荷再分配DAC还具有另一项优势，即DAC本身可以充当一个采样保持电路(SHA)，因此既不需要外部SHA，也不需要为单独集成的SHA分配芯片面积。
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