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数据每次进/出NAND寄存器都是通过16位或8位接口。当进行编程操作的时候 flash蓝膜回收，待编程的数据进入数据寄存器，处于在WE#信号的上升沿。在寄存器内随机存取或移动数据，要采用专用指令以便于随机存取。
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.写使能(Write Enable， WE#): WE#负责将数据、地址或指令写入NAND之中。3.读使能(Read Enable 晶圆蓝膜回收， RE#): RE#允许输出数据缓冲器。4.指令锁存使能(Command Latch Enable 8寸蓝膜回收， CLE): 当CLE为高时，在WE#信号的上升沿，指令被锁存到NAND指令寄存器中。5.地址锁存使能(Address Latch Enable， ALE)：当ALE为高时，在WE#信号的上升沿，地址被锁存到NAND地址寄存器中。6.就绪/忙(Ready/Busy， R/B#)：如果NAND器件忙，R/B#信号将变低。该信号是漏极开路，需要采用上拉电阻。
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