K9GAG08UOD晶圆回收,磅礴电子,晶圆回收

本公司长期需要各大厂家晶圆东芝.现代.三星.镁光蓝膜晶圆。

大量高价收购.EHL9、FFF1、EEU3、EGW1、HTX4、HTX5、K9GAG08UOE、

L84、EGZ9、FGC4、FGC2等系列晶圆。

由热氧化法生成SiO2 缓冲层 K9GAG08UOE晶圆回收，用来减小后续中Si3N4对晶圆的应力氧化技术：干法氧化Si(固)+O2 à SiO2(固)和湿法氧化Si(固)+2H2O à SiO2(固)+2H2。

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离子布植将硼离子 (B+3) 透过 SiO2 膜注入衬底，形成P型阱离子注入法是利用电场加速杂质离子，将其注入硅衬底中的方法。离子注入法的特点是可以精密地控制扩散法难以得到的低浓度杂质分布。

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