电阻的发展
1885年英国C.布雷德利发明模压碳质实芯电阻器。1897年英国T.甘布里尔和A.哈里斯用含碳墨汁制成碳膜电阻器。1913～1919年英国W.斯旺和德国F.克鲁格先后发明金属膜电阻器。1925年德国西门子-哈尔斯克公司发明热分解碳膜电阻器，打破了碳质实芯电阻器垄断市场的局面。晶体管问世后，3w 电阻器，对电阻器的小型化、阻值稳定性等指标要求更严，促进了各类新型电阻器的发展。美国贝尔实验室1959年研制成 TaN电阻器。60年代以来，采用滚筒磁控溅射、激光阻值微调等新工艺，电阻器，部分产品向平面化、集成化、微型化及片状化方面发展。
Q54系列精密合金电阻器
该电阻由精密合金板制成，钎焊的铜端焊脚保证了接点极高的电气性能。该结构提供了一种高可靠、高过载能力的无感应电阻器。
额定电流30~100A，5w电阻器，额定电压降45mV、50mV， 阻值范围0.5~1.6667m， 准确度0.5级，温度范围-55~+300℃.
Q53系列精密合电阻器
该电阻由精密合金线制成，具有高可靠、高过载能力又具备容易焊接和无感应功能。
额定电流6~14A，阻值范围2~25m， 阻值允许偏差±5%~±10%， 温度范围-55~+85℃
Q50系列精密合金电阻器
该电阻由精密合金板制成，点焊的铜端焊脚保证了接点极高的电气性能。该结构提供了一种高可靠、高过载能力的无感应电阻器。
70℃下额定功率1-3W，jzr 电阻器，阻值范围5~35m， 阻值温度系数偏差±1%~±5%， 温度范围-55~+300℃
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