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在源极和漏极之间有一个多晶硅栅极浮空在 绝缘层中,与四周无直接电气联接。这种电路以浮空栅极是否带电来表示存1或者0,浮空栅极带电后(例如负电荷) nand 蓝膜晶圆回收,就在其下面,源极和漏极之间感应出正的导电沟道,使MOS管导通,即表示存入0.若浮空栅极不带电 nand 蓝膜硅片晶圆回收,则不能形成导电沟道 nand蓝膜晶圆回收,MOS管不导通,即存入1。


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