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若VG为正电压，第一浮空栅极与漏极之间产生隧道效应，使电子注入第一浮空栅极，即编程写入。若使VG为负电压 不良晶圆，强使第一浮空栅极的电子散失 收购三星不良晶圆，即擦除。擦除后可重新写入。
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NAND器件的另外一个好处显然是其封装选长期求购各种品牌Nand Flash晶圆(如三星，现代，美光等)每月需求2KKpcs。U盘Flash晶圆，T-Flash卡，Flash晶圆，M2卡Flash晶圆项：NAND提供一种厚膜的2Gb裸片或能够支持最多四颗堆叠裸片，容许在相同的TSOP-1封装中堆叠一个8Gb的器件。
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