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随着半导体技术的改进，闪存也实现了单晶体管设计 英特尔原厂不良，主要就是在原有的晶体管上加入浮空栅和选择栅，NAND闪存阵列分为一系列128kB的区块(block) 收购海力士原厂不良，这些区块是NAND器件中最小的可擦除实体。
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不同种类、不同工艺、不同技术水平的NAND闪存在读写速率上存在差异。同时 Flash原厂不良，闪存产品的读写性能也与读写方式有关。一般闪存的数据接口为8位或者16位，其中8位较为常见。如果产品支持多通道并行读写，那么就会有更高的速度。
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