磅礴电子(多图),整张NANN蓝膜片回收,蓝膜片

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深圳厂家同行最高价收购 8寸整张晶圆,8寸蓝膜,HY27SF082G2M,HY27SF082G2A;NANN,NAZN,  NAND01GW3B2B

LPCVD 沉积多晶硅层,然后涂敷光阻进行光刻,以及等离子蚀刻技术 蓝膜片,栅极结构,并氧化生成 SiO2 保护层。

表面涂敷光阻,去除 P 阱区的光阻,注入砷 (As) 离子,形成 NMOS 的源漏极。用同样的方法,在 N 阱区,注入 B 离子形成 PMOS 的源漏极。


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溅镀( Sputtering Deposition ) 所谓溅射是用高速粒子(如氩离子等)撞击固体表面,将固体表面的原子撞击出来,利用这一现象来形成薄膜的技术即让等离子体中的离子加速,撞击原料靶材,将撞击出的靶材原子淀积到对面的基片表面形成薄膜。溅射法与真空蒸发法相比有以下的特点:台阶部分的被覆性好,可形成大面积的均质薄膜,形成的薄膜,可获得和化合物靶材同一成分的薄膜,可获得绝缘薄膜和高熔点材料的薄膜,形成的薄膜和下层材料具有良好的密接性能。


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