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到达基片的原料分子不具有表面移动的能量 蓝膜片，立即凝结在基片的表面，所以，在具有台阶的表面上以真空蒸发法淀积薄膜时，一般 收购整张8寸蓝膜片，表面被覆性（覆盖程度）是不理想的。但若可将Crambo真空抽至超高真空（ <10 – 8 torr ） 8寸蓝膜片回收，并且控制电流，使得欲镀物以一颗一颗原子蒸镀上去即成所谓分子束磊晶生长（ MBE ： Molecular Beam Epitaxy ）。
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沉积第二层金属，并刻蚀出连线结构。然后，用 PECVD 法氧化层和氮化硅保护层。光刻和离子刻蚀定出 PAD 位置。最后进行退火处理以保证整个 Chip 的完整和连线的连接性。Wafer Probe晶圆针测工序waferballing process晶圆球状化工艺
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