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若VG为正电压，第一浮空栅极与漏极之间产生隧道效应 英特尔不良晶圆回收，使电子注入第一浮空栅极，即编程写入。若使VG为负电压，强使第一浮空栅极的电子散失 不良晶圆，即擦除。擦除后可重新写入。
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随着半导体技术的改进，闪存也实现了单晶体管设计，主要就是在原有的晶体管上加入浮空栅和选择栅，NAND闪存阵列分为一系列128kB的区块(block)，这些区块是NAND器件中最小的可擦除实体。
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