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若VG为正电压，第一浮空栅极与漏极之间产生隧道效应，使电子注入第一浮空栅极 回收不良晶圆，即编程写入。若使VG为负电压，强使第一浮空栅极的电子散失，即擦除。擦除后可重新写入。
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