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在涂敷光刻胶之前,将洗净的基片表面涂上附着性增强剂或将基片放在惰性气体中进行热处理。这样处理是为了增加光刻胶与基片间的粘附能力 收购8寸蓝膜片晶圆,防止显影时光刻胶图形的脱落以及防止湿法腐蚀时产生侧面腐蚀(sideetching)。
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到达基片的原料分子不具有表面移动的能量,立即凝结在基片的表面,所以,在具有台阶的表面上以真空蒸发法淀积薄膜时,一般,表面被覆性(覆盖程度)是不理想的。但若可将Crambo真空抽至超高真空( <10 – 8 torr ),并且控制电流,使得欲镀物以一颗一颗原子蒸镀上去即成所谓分子束磊晶生长( MBE : Molecular Beam Epitaxy )。
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