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在涂敷光刻胶之前 回收整张8寸蓝膜片，将洗净的基片表面涂上附着性增强剂或将基片放在惰性气体中进行热处理。这样处理是为了增加光刻胶与基片间的粘附能力，防止显影时光刻胶图形的脱落以及防止湿法腐蚀时产生侧面腐蚀(sideetching)。
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LPCVD 沉积多晶硅层，然后涂敷光阻进行光刻 整张8寸蓝膜晶圆回收，以及等离子蚀刻技术，栅极结构，并氧化生成 SiO2 保护层。
表面涂敷光阻 8寸蓝膜回收，去除 P 阱区的光阻，注入砷 (As) 离子，形成 NMOS 的源漏极。用同样的方法，在 N 阱区，注入 B 离子形成 PMOS 的源漏极。
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