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去除光刻胶放高温炉中进行退火处理 以消除晶圆中晶格缺陷和内应力，以恢复晶格的完整性。使植入的掺杂原子扩散到替代位置，产生电特性。用热磷酸去除氮化硅层，掺杂磷 (P+5) 离子 蓝膜片，形成 N 型阱，并使原先的SiO2 膜厚度增加，达到阻止下一步中n 型杂质注入P 型阱中。退火处理，然后用 HF 去除 SiO2 层。干法氧化法干法氧化法生成一层SiO2 层，然后LPCVD 沉积一层氮化硅。此时P 阱的表面因SiO2 层的生长与刻蚀已低于N 阱的表面水平面。这里的SiO2 层和氮化硅的作用与前面一样。接下来的步骤是为了隔离区和栅极与晶面之间的隔离层。
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利用光刻技术和离子刻蚀技术，保留下栅隔离层上面的氮化硅层。
生长未有氮化硅保护的 SiO2 层 回收整张8寸蓝膜片，形成 PN 之间的隔离区。
热磷酸去除氮化硅 收购NANN整张蓝膜片，然后用 HF 溶液去除栅隔离层位置的 SiO2 ，并重新生成品质更好的 SiO2 薄膜 ， 作为栅极氧化层。
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