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下面有图(仅供参考.有类似的请联系)
闪存的基本单元电路与EEPROM类似，也是由双层浮空栅MOS管组成。但是第一层栅介质很薄 nand，作为隧道氧化层。写入方法与EEPROM相同，在第二级浮空栅加正电压 nand晶元蓝膜回收，使电子进入第一级浮空栅。
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NAND的复用接口为所有最新的器件和密度都提供了一种相似的引脚输出。这种引脚输出使得设计工程师无须改变电路板的硬件设计，就能从更小的密度移植到更大密度的设计上。
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