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EEPROM基本存储单元电路的工作原理如图2.2所示。与EPROM相似，它是在EPROM基本单元电路的浮空栅极的上面再生成一个浮空栅，前者称为第一级浮空栅，后者称为第二级浮空栅。可给第二级浮空栅引出一个电极，使第二级浮空栅极接某一电压VG。
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在源极和漏极之间有一个多晶硅栅极浮空在 绝缘层中 flash蓝膜片晶圆回收，与四周无直接电气联接。这种电路以浮空栅极是否带电来表示存1或者0，浮空栅极带电后（例如负电荷），就在其下面 flash蓝膜片，源极和漏极之间感应出正的导电沟道，使MOS管导通 蓝膜片，即表示存入0.若浮空栅极不带电 回收nand蓝膜片晶圆，则不能形成导电沟道，MOS管不导通，即存入1。
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