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生产商必须平衡这些相关的因素使生产力达到最大化。更高的切割速度和更大的荷载将会加大切割切割线的拉力 8寸蓝膜，增加切割线断裂的风险。由于同一硅块上所有硅片是同时被切割的 整张8寸蓝膜晶圆回收，只要有一条切割线断裂，所有部分切割的硅片都不得不丢弃。 然而，使用更粗更牢固的切割线也并不可取，这会减少每次切割所生产的硅片数量 收购8寸蓝膜，并增加硅原料的消耗量。
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沉积第二层金属，并刻蚀出连线结构。然后，用 PECVD 法氧化层和氮化硅保护层。光刻和离子刻蚀定出 PAD 位置。最后进行退火处理以保证整个 Chip 的完整和连线的连接性。Wafer Probe晶圆针测工序waferballing process晶圆球状化工艺
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