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利用光刻技术和离子刻蚀技术 收购整张8寸蓝膜片晶圆,保留下栅隔离层上面的氮化硅层。
生长未有氮化硅保护的 SiO2 层 整张蓝膜片回收,形成 PN 之间的隔离区。
热磷酸去除氮化硅,然后用 HF 溶液去除栅隔离层位置的 SiO2 ,并重新生成品质更好的 SiO2 薄膜 , 作为栅极氧化层。
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