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光刻胶的涂敷是用转速和旋转时间可自由设定的甩胶机来进行的。首先、用真空吸引法将基片吸在甩胶机的吸盘上,把具有一定粘度的光刻胶滴在基片的表面 整张8寸蓝膜回收,然后以设定的转速和时间甩胶


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利用 PECVD 沉积一层无掺杂氧化层,保护元件,并进行退火处理。

含有硼磷杂质的SiO2 层,有较低的熔点 回收整张8寸蓝膜,硼磷氧化层(BPSG) 加热到800 oC 时会软化并有流动特性,可使晶圆表面初级平坦化。

溅镀第一层金属利用光刻技术留出金属接触洞 8寸蓝膜,溅镀钛+ 氮化钛+ 铝+ 氮化钛等多层金属膜。离子刻蚀出布线结构,并用PECVD 在上面沉积一层SiO2 介电质。并用SOG (spin on glass) 使表面平坦,加热去除SOG 中的溶剂。然后再沉积一层介电质,为沉积第二层金属作准备。


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