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在涂敷光刻胶之前 蓝膜片,将洗净的基片表面涂上附着性增强剂或将基片放在惰性气体中进行热处理。这样处理是为了增加光刻胶与基片间的粘附能力 收购整张8寸蓝膜片,防止显影时光刻胶图形的脱落以及防止湿法腐蚀时产生侧面腐蚀(sideetching)。


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利用 PECVD 沉积一层无掺杂氧化层,保护元件 收购整张8寸蓝膜片晶圆,并进行退火处理。

含有硼磷杂质的SiO2 层,有较低的熔点,硼磷氧化层(BPSG) 加热到800 oC 时会软化并有流动特性,可使晶圆表面初级平坦化。

溅镀第一层金属利用光刻技术留出金属接触洞,溅镀钛+ 氮化钛+ 铝+ 氮化钛等多层金属膜。离子刻蚀出布线结构,并用PECVD 在上面沉积一层SiO2 介电质。并用SOG (spin on glass) 使表面平坦,加热去除SOG 中的溶剂。然后再沉积一层介电质,为沉积第二层金属作准备。


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